采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：298pF@15V
导通电阻：80mΩ@2A，10V
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：298pF@15V
导通电阻：80mΩ@2A，10V
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
栅极电荷：9nC@10V
阈值电压：2.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：595pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
功率：2.4W
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：62731，"MI+"：56470}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA037N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@40V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36.5mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
