采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10497，"16+"：68}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N745U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：84W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：745mΩ@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD8P10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
