品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:124A
漏源电压:25V
功率:47W
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@13V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615pF@13V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500,"20+":1708,"21+":1161}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6676AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: