销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59743,"23+":1275}
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:500mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4039,"21+":12687}
包装规格(MPQ):144psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP165N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4947}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:9821pF@15V
连续漏极电流:23A€246A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:3V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:20mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":52823,"22+":75474,"23+":1997}
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}
包装规格(MPQ):233psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流:19A€70A€37A€164A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:12Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:40mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:50Ω
类型:N通道
功率:625mW
栅源击穿电压:35V
栅源截止电压:1V@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: