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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
包装规格(MPQ)：233psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
包装规格(MPQ)：233psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：233psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
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包装方式：散装
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连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
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规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
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规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：16964，"22+"：36000}
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规格型号(MPN)：FDMS1D2N03DSD
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W€2.3W€42W
阈值电压：2.5V@320µA€3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1410pF@15V€4860pF@15V
连续漏极电流：19A€70A€37A€164A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
连续漏极电流：23A€246A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：128nC@10V
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：9821pF@15V
包装方式：散装
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4931NT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：9821pF@15V
连续漏极电流：23A€246A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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