采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：937，"23+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7682
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1885pF@15V
连续漏极电流：16A€22A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7682
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1885pF@15V
连续漏极电流：16A€22A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C024NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.57W€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：21.7A€78A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：21450，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7682
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1885pF@15V
连续漏极电流：16A€22A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C55NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H425NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：25A€118A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1935pF@15V
连续漏极电流：16A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@14.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3257，"11+"：1553，"13+"：2258，"16+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
