采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1223
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
