采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1127，"06+"：1768，"07+"：1169400，"9999"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：90000，"08+"：5300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8935
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@40V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：183mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N40ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@50V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@600mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4401PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N40ZT4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.4Ω@600mA，10V
输入电容：140pF@50V
类型：N沟道
功率：37W
连续漏极电流：2.1A
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.6nC@10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
