品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
规格型号(MPN):FDMT800120DC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
连续漏极电流:20A€129A
输入电容:7850pF@60V
漏源电压:120V
栅极电荷:107nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
连续漏极电流:20A€129A
输入电容:7850pF@60V
漏源电压:120V
栅极电荷:107nC@10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
连续漏极电流:20A€129A
输入电容:7850pF@60V
漏源电压:120V
栅极电荷:107nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":8443,"22+":7660,"23+":1504}
规格型号(MPN):FDMT800120DC
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
连续漏极电流:20A€129A
输入电容:7850pF@60V
漏源电压:120V
栅极电荷:107nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800120DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7850pF@60V
连续漏极电流:20A€129A
类型:N沟道
导通电阻:4.14mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: