品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@290µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@290µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@290µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: