品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€113.6W
阈值电压:2.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
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导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
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功率:2.5W€113.6W
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栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
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