品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
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阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
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输入电容:1988pF@15V
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栅极电荷:31nC@10V
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输入电容:1988pF@15V
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:31nC@10V
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输入电容:1988pF@15V
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
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漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
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漏源电压:30V
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输入电容:1988pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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输入电容:1988pF@15V
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漏源电压:30V
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栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
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类型:N沟道
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漏源电压:30V
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栅极电荷:31nC@10V
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栅极电荷:31nC@10V
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:820mW€33W
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工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:820mW€33W
连续漏极电流:12A€75A
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输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:820mW€33W
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:820mW€33W
连续漏极电流:12A€75A
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工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
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导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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