采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS002P03P8ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：217nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14950pF@15V
连续漏极电流：40.2A€263A
类型：P沟道
导通电阻：1.4mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
