采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
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功率：1.7W€26W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：400pF@25V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1601，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
功率：1W
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@44µA
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
漏源电压：80V
输入电容：856pF@40V
功率：1.7W€26W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6A€26A
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：6621}
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFD018N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€26W
阈值电压：2.5V@44µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@40V
连续漏极电流：6A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@7.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
