采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.7pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002ET7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.81nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@240mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
