品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6308P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDG6306P
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功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):FDG6308P
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功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:153pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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输入电容:153pF@10V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDG6306P
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功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
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功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
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输入电容:114pF@10V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
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规格型号(MPN):FDG6306P
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功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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