采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：250Ω
类型：P通道
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：1V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
漏源饱和电流：2mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：80Ω
类型：N通道
输入电容：16pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：1V@1nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：3V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：125Ω
类型：P通道
功率：350mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：3V@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：7mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV305N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：109pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：200µA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：50Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：350mW
栅源击穿电压：35V
栅源截止电压：1V@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDV301N
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.06V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：7pF@15V
功率：350mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：500mV@10nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
