采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：21450，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：190，"23+"：18297，"MI+"：1797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：190，"23+"：18297，"MI+"：1797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：127500}
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：190，"23+"：18297，"MI+"：1797}
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4N03R2G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@4A，10V
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
输入电容：400pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：6A
输入电容：950pF@24V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
