采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
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功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
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功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
导通电阻：49mΩ@26A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：63nC@10V
连续漏极电流：52A
漏源电压：200V
输入电容：2900pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：5V@3.5mA
漏源电压：650V
连续漏极电流：35A
输入电容：4895pF@100V
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB110N65F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@3.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4895pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
