品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
连续漏极电流:1.2A€3A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
栅极电荷:2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.3W€10W
输入电容:73pF@75V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:1pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1A
输入电容:250pF@25V
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:22mΩ@10V,8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:3.1W€132W
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:8A€50A
输入电容:2.11nF@75V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:480pF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT5P10TF
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:1.05Ω@10V,500mA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1A
输入电容:250pF@25V
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
栅极电荷:43.4nC@10V
连续漏极电流:86A€136A
导通电阻:4mΩ@44A,10V
功率:51W€127W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.98nF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:22mΩ@10V,8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:3.1W€132W
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:8A€50A
输入电容:2.11nF@75V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP8N60C
类型:1个N沟道
栅极电荷:36nC@10V
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
输入电容:1.255nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:480pF@25V
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
类型:1个N沟道
输入电容:395pF@75V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
栅极电荷:43.4nC@10V
连续漏极电流:86A€136A
导通电阻:4mΩ@44A,10V
功率:51W€127W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.98nF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF190N15A
栅极电荷:39nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
输入电容:2.685nF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:27.4A
导通电阻:19mΩ@27.4A,10V
功率:33W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.57nF@75V
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP32N20C
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.2nF@25V
功率:156W
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@10V,14A
连续漏极电流:28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
连续漏极电流:9.5A
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: