品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
连续漏极电流:8.5A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:635pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2573,"21+":974,"22+":8117,"23+":21000,"MI+":5270}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:76nC@10V
功率:3W€78W
连续漏极电流:30A€40A
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:5.17nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:76nC@10V
功率:3W€78W
连续漏极电流:30A€40A
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:5.17nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:625mW
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS270
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:625mW
包装方式:散装
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:89W
栅极电荷:40nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:125mΩ@8A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.575nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
输入电容:897pF@15V
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: