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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~+150℃
    阈值电压: 3V@250μA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    栅极电荷:49nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.64nF@20V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:14A€42A

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN537N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:8.4nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:1.5W

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:465pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:6.5A€6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订574个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订574个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    栅极电荷:49nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8447L

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:8.5mΩ@10V,14A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:15.2A€50A

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    输入电容:1.97nF@20V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€44W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    功率:360mW

    连续漏极电流:180mA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:79pF@25V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    类型:1个N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:12nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9A€10A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:5W

    栅极电荷:27nC@10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.1A

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:1.31nF@30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8449 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8449 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8449

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    输入电容:760pF@20V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    栅极电荷:11nC@5V

    连续漏极电流:7.6A

    导通电阻:29mΩ@10V,7.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6612A 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    输入电容:759pF@30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    功率:1.6W

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    连续漏极电流:3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:5W

    栅极电荷:27nC@10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.1A

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:1.31nF@30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA8878 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA8878

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:16mΩ@9A,10V

    类型:1个N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:12nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9A€10A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    栅极电荷:16nC@5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:2.5W

    连续漏极电流:11A

    输入电容:1.205nF@15V

    导通电阻:12.5mΩ@10V,11A

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN537N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:8.4nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:1.5W

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:465pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:6.5A€6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:13A€55A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.37nF@20V

    栅极电荷:63nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订482个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订482个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    类型:1个N沟道

    输入电容:1.54nF@50V

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:8A€35A

    功率:3.1W€54W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN537N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN537N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:8.4nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:1.5W

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:465pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A€6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    输入电容:570pF@15V

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    栅极电荷:15nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6637 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6637

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:11.6mΩ@10V,14A

    漏源电压:35V

    功率:3.1W€57W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:13A€55A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.37nF@20V

    栅极电荷:63nC@10V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8447L

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:8.5mΩ@10V,14A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:15.2A€50A

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    输入电容:1.97nF@20V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€44W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    栅极电荷:49nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    输入电容:2.6nF@20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12.8A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订41个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订41个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    功率:360mW

    连续漏极电流:180mA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:79pF@25V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    连续漏极电流:6.6A

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    反向传输电容:7.5pF@50V

    栅极电荷:25nC@10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.49nF@50V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8647L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8647L

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.64nF@20V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:14A€42A

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€43W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9mΩ@10V,13A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    功率:5W

    栅极电荷:27nC@10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.1A

    阈值电压:3V@250μA

    输入电容:1.31nF@30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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