品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.64nF@20V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€42A
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
ECCN:EAR99
导通电阻:9mΩ@10V,13A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.2A€50A
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:1.97nF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:180mA
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:79pF@25V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
栅极电荷:27nC@10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
输入电容:1.31nF@30V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8449
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:760pF@20V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:11nC@5V
连续漏极电流:7.6A
导通电阻:29mΩ@10V,7.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.49nF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:7.5pF@50V
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
阈值电压:3V@250μA
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
输入电容:759pF@30V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:105mΩ@10V,3A
功率:1.6W
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
栅极电荷:27nC@10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
输入电容:1.31nF@30V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:16mΩ@9A,10V
类型:1个N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9A€10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
栅极电荷:16nC@5V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:2.5W
连续漏极电流:11A
输入电容:1.205nF@15V
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:13A€55A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.37nF@20V
栅极电荷:63nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
类型:1个N沟道
输入电容:1.54nF@50V
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:8A€35A
功率:3.1W€54W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
输入电容:570pF@15V
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11.6mΩ@10V,14A
漏源电压:35V
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:13A€55A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.37nF@20V
栅极电荷:63nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.2A€50A
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:1.97nF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€44W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
栅极电荷:49nC@10V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:2.6nF@20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
连续漏极电流:180mA
栅极电荷:2.5nC@10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:79pF@25V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86102LZ
连续漏极电流:6.6A
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@10V,6.6A
反向传输电容:7.5pF@50V
栅极电荷:25nC@10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.49nF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.64nF@20V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:14A€42A
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
ECCN:EAR99
导通电阻:9mΩ@10V,13A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
栅极电荷:27nC@10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:3V@250μA
输入电容:1.31nF@30V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: