品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
功率:600mW
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:4.2nC@4.5V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
功率:600mW
导通电阻:66mΩ@4.5V,3.4A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:4.2nC@4.5V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:3.8A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD4116NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:427pF@15V
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.5A
功率:710mW
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: