采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD3P50TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.9Ω@10V，1.05A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
