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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
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栅极电荷：63nC@10V
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连续漏极电流：13A€55A
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导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
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类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
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连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：13A€55A
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.37nF@20V
栅极电荷：63nC@10V
类型：1个P沟道
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功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
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