采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：9300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：9300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD18N20LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.575nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：690mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.228nF@100V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
