品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":759}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,100mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:132W
阈值电压:4V@239μA
栅极电荷:25nC@6V
输入电容:3.1nF@50V
连续漏极电流:113A
类型:1个N沟道
反向传输电容:23pF@50V
导通电阻:3.8mΩ@10V,46A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFM120ATF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8622
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@50V
连续漏极电流:4.8A€16.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:56mΩ@10V,4.8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:210pF@50V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:109mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: