采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
