品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:810pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,2.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1837}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€49W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP12N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2.29nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: