销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@5V,100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
销售单位:个
集电极电流(Ic):1.2A
特征频率:125MHz
功率:1W
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):30V
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@5V,100mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100mA,100μA
工作温度:-55℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: