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    品牌: ON SEMI
    工作温度: -55℃~+150℃
    连续漏极电流: 170mA
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数12000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数12000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订3661个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订3661个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V

    栅极电荷:1.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:170mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:10Ω

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":8926,"22+":38958}

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:170mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:10Ω

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数252000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数252000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数27000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数27000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数252000个
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123LT1G 起订数252000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:170mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:6Ω@10V,100mA

    类型:1个N沟道

    阈值电压:2.6V@1mA

    漏源电压:100V

    功率:225mW

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订3661个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS123-G 起订3661个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":8926,"22+":38958}

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123-G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:170mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:10Ω

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS123LT1G 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS123LT1G 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS123LT1G

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    输入电容:20pF@25V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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