品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDC5612
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功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDC5612
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功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250μA
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阈值电压:4V@250μA
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250μA
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连续漏极电流:4.3A
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功率:1.6W
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类型:1个N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
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连续漏极电流:10A
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导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
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连续漏极电流:10A
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功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@200μA
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输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.3A
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导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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