采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：1.7A
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，1.7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS355AN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：155mΩ@10V，1A
栅极电荷：2.8nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：182pF@25V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.7A
漏源电压：60V
功率：900mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5nC@5V
输入电容：195pF@15V
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：1.7A
导通电阻：85mΩ@10V，1.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
