采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N沟道
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源饱和电流：50mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
类型：N沟道
输入电容：5pF@10V
功率：225mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：2.5V@1nA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源饱和电流：24mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"07+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100μA，100mA
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：300mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：125MHz
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100mA，100μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N沟道
输入电容：14pF@15V
功率：225mW
栅源击穿电压：30V
栅源截止电压：4V@10nA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源饱和电流：50mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：40V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：225mW
集电集截止电流(Icbo)：1μA
工作温度：-55℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500mA，500μA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
