采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：8}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：8}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT3G
工作温度：150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5538pF@12V
连续漏极电流：54A€334A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT3G
工作温度：150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5538pF@12V
连续漏极电流：54A€334A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTAG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTAG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTAG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5538pF@12V
连续漏极电流：54A€334A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT1G
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
输入电容：5538pF@12V
连续漏极电流：54A€334A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
