品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8656-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":1725}
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1000}
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.3V@1mA
功率:1.3W
漏源电压:24V
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1000}
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:1.3V@1mA
功率:1.3W
漏源电压:24V
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":1725}
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2418R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:15mΩ@4A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存: