采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165000，"12+"：1000，"16+"：9000，"18+"：28421，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：21993}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3000，"18+"：360000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH5617-TL-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：6500，"18+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LP01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：40Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：2V@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
栅极电荷：1.58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01C-TB-E
工作温度：150℃
功率：250mW
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.4pF@10V
连续漏极电流：70mA
类型：P沟道
导通电阻：23Ω@40mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
功率：250mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：21993}
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LP01C-TB-H
工作温度：150℃
功率：250mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：10.4Ω@50mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
