采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：17301}
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD679AS
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD679AS
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：17301}
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD679AS
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：500µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：KSE800STU
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：40W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP206-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP212-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP102-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：18.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
