包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@8A，400mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@5V，2A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD127G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE5742G

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@8A，400mA

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@5V，2A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE5742G

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：8A

功率：2W

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@8A，400mA

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@5V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：75psc

规格型号(MPN)：MJD127G

集电集截止电流(Icbo)：10μA

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：8A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

ECCN：EAR99

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

集电集截止电流(Icbo)：10μA

集电极电流(Ic)：8A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1