品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
销售单位:个
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10μA
特征频率:4MHz
工作温度:-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@8A,80mA
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4V,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@8A,80mA
集电集截止电流(Icbo):10μA
集电极电流(Ic):8A
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4V,4A
工作温度:-65℃~+150℃
集射极击穿电压(Vceo):100V
功率:20W
特征频率:4MHz
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