品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0391DPA-00#J5A
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3812-ZP-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€213W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16800pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0332DPB-01#J0
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: