品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP180N055TUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€348W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:294nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16050pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP60N04VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP180N055TUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€348W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:294nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16050pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@90A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):N0439N-S19-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€147W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP74N04YUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@37.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP29N06QUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€44W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP29N06QUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€44W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: