品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
栅极电荷:100nC@10V
功率:1.2W€84W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
输入电容:5000pF@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: