品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1523}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ542-E
功率:60W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.3nF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):RJK0655DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2SJ542-E
功率:60W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):2SJ542-E
功率:60W
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连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
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栅极电荷:35nC@10V
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输入电容:2550pF@10V
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类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
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功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
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输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
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功率:60W
栅极电荷:35nC@10V
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输入电容:2550pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17.5A,10V
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规格型号(MPN):2SJ542-E
功率:60W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.3nF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):2SJ542-E
功率:60W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.3nF@10V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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