采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0603N-S23-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
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栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0412N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€119W
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4903，"14+"：7504}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0701DPN-E0#T2
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
输入电容：10pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
