采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP180N055TUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP180N055TUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10350pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0439N-S19-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP74N04YUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@37.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N055MHE-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP75N04VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@38A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
包装方式：管件
关断延迟时间：113ns
反向恢复时间：72ns
关断损耗：1mJ
开启延迟时间：29ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：54nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2V@15V，75A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP29N06QUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€44W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP20P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
