采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
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功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
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功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3G600GNTL
功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：40W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：40W
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栅极电荷：46.5nC@10V
输入电容：3.4nF@20V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：150pF@20V
导通电阻：2.8mΩ@10V，60A
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E180BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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