品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C100BCTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C100BCTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3T100CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2450KEGC11
工作温度:175℃
功率:85W
阈值电压:4V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@18V
包装方式:管件
输入电容:463pF@800V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:585mΩ@3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: