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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
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功率：78W
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栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
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连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
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连续漏极电流：7A
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连续漏极电流：7A
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
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功率：46W
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
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功率：46W
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连续漏极电流：7A
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