品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6507KND3TL1
功率:78W
阈值电压:5V@200μA
栅极电荷:14.5nC@10V
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:665mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E080BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6507KND3TL1
功率:78W
阈值电压:5V@200μA
栅极电荷:14.5nC@10V
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:665mΩ@2.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: